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    胜博发网上进入:三星下代V-NAND将突破200层:未来或1000层

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    816.0283355.com true http://816.0283355.com/770/7702453.html report 587 自从闪存进入3D时代,堆栈层数越来越高。三星下一代的第八代V-NAND闪存有望超过200层,未来还可以做到1000层。目前全球半导体芯片产能紧张,NAND闪存本身也是牛市周期,三星准备借此机会扩大生产规模。在闪存技术上,三星的128层V-NAND闪存已经量产,2021年下半年则会量...
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